IRLML2060TRPBF vs BSR802NL6327HTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2060TRPBF tarafından Infineon ve BSR802NL6327HTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLML2060TRPBF | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Paket | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Qualification | — | Automotive |
| Pin Sayısı | — | 3 |