IRLR120NTRPBF vs IRFR220NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR120NTRPBF بواسطة Infineon و IRFR220NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLR120NTRPBF | IRFR220NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (Fifth Generation, planar) | HEXFET (Planar) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 185 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 48 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rating | Fully avalanche rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates lead-free) | Yes, lead-free (PBF suffix) |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 5 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 43 W |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.6 ohm at VGS = 10 V |
| العلبة / الحالة | — | TO-252AA (DPAK) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet characterization) |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab |