IRLR120NTRPBF vs IRFR220NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR120NTRPBF tarafından Infineon ve IRFR220NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR120NTRPBF IRFR220NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) -55C to +150C (junction)
Paket TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) Yes, lead-free (PBF suffix)
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin