IRLR120NTRPBF vs IRFR220NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR120NTRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR220NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR120NTRPBF IRFR220NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55C to +150C (junction)
پیکیج TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) Yes, lead-free (PBF suffix)
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
پیکیج / کیس — TO-252AA (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں