IRLR120NTRPBF vs IRFR220NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR120NTRPBF מאת Infineon ו IRFR220NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRLR120NTRPBF IRFR220NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (Fifth Generation, planar) HEXFET (Planar)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 10 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed Idm] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 185 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 48 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (junction) -55C to +150C (junction)
מארז TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free) Yes, lead-free (PBF suffix)
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
מארז / Case — TO-252AA (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר