IRLR2905TRPBF vs IRFR1205TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR2905TRPBF بواسطة Infineon و IRFR1205TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLR2905TRPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | 160 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | 2 V min, 4 V max |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | -55C to +175C |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 44 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 43.3 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| حالة RoHS | — | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |