IRLR2905TRPBF vs IRFR1205TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR2905TRPBF מאת Infineon ו IRFR1205TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLR2905TRPBF IRFR1205TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] 160 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 2 V min, 4 V max
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
סטטוס RoHS — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר