IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR2905TRPBF بواسطة Infineon و IRLR2705TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLR2905TRPBF IRLR2705TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] Logic-Level (compatible with 4V drive)
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W 68 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C -55C to +175C
العلبة TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (Pb-free, RoHS compliant)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر