IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR2905TRPBF מאת Infineon ו IRLR2705TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLR2905TRPBF IRLR2705TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] Logic-Level (compatible with 4V drive)
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W 68 W
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (Pb-free, RoHS compliant)
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר