IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR2905TRPBF tarafından Infineon ve IRLR2705TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR2905TRPBF IRLR2705TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] Logic-Level (compatible with 4V drive)
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W 68 W
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55C to +175C
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (Pb-free, RoHS compliant)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin