IRLR3410TRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR3410TRLPBF بواسطة Infineon و IRFR3710ZTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLR3410TRLPBF | IRFR3710ZTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLR3410TRLPBF | — |
| Technology | HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 17 A | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 105 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) typ | 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22.7 nC | — |
| Gate Drive Level | Logic level (5V capable) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 79 W | 140 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | -55C to +175C |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount (tape and reel) | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free) | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Avalanche Rated | Yes (UIS tested) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 18 mOhm |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |