IRLR3410TRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR3410TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR3710ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3410TRLPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3410TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLR3410TRLPBF IRFR3710ZTRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W 140 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C -55C to +175C
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
MSL লেভেল 1 —
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট