IRLR3410TRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR3410TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR3710ZTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3410TRLPBF - 100V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3410TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLR3410TRLPBF IRFR3710ZTRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W 140 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C -55C to +175C
पैकेज TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
MSL स्तर 1 —
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
RoHS स्थिति — Compliant
Lead-Free — Yes

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