IRLR3410TRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3410TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3710ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3410TRLPBF IRFR3710ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W 140 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55C to +175C
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
MSL لیول 1 —
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں