IRLZ44NPBF vs IRLZ34NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLZ44NPBF بواسطة Infineon و IRLZ34NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLZ44NPBF IRLZ34NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
العلبة TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced process) —
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
حالة RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
نوع الترانزستور — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
مستوى MSL — Not applicable (through-hole)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر