IRLZ44NPBF vs IRLZ34NPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLZ44NPBF द्वारा Infineon और IRLZ34NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF - 55V 47A N-Ch Logic-Level MOSFET | Infineon

IRLZ44NPBF - 55V 47A N-Ch Logic-Level MOSFET | Infineon

IRLZ44NPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLZ44NPBF IRLZ34NPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A —
Total Gate Charge (Qg) 32 nC 16.7 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 110 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.4 °C/W —
पैकेज TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (advanced process) —
Logic-Level Gate Drive Yes (fully enhanced at VGS=5V) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number Suffix — PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C]
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V — 35 mOhm
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C — 68 W
MSL स्तर — Not applicable (through-hole)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध