IRS2011STRPBF vs IR21834STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2011STRPBF بواسطة Infineon و IR21834STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2011STRPBF IR21834STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Half-Bridge
عدد المخارج 2 2 (High Side / Low Side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V and 5 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune Yes
العلبة 8-SOIC (DSO-8) 14-SOIC (3.90 mm width)
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Input Type — Inverting, Non-Inverting
Number of Drivers — 2
Peak Source Current — 1.9 A
Peak Sink Current — 2.3 A
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Propagation Delay — 180 ns (typical)
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes
Packaging — Tape & Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر