IRS2011STRPBF vs IR21834STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2011STRPBF מאת Infineon ו IR21834STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2011STRPBF IR21834STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Half-Bridge
מספר יציאות 2 2 (High Side / Low Side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V and 5 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune Yes
מארז 8-SOIC (DSO-8) 14-SOIC (3.90 mm width)
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Input Type — Inverting, Non-Inverting
Number of Drivers — 2
Peak Source Current — 1.9 A
Peak Sink Current — 2.3 A
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Propagation Delay — 180 ns (typical)
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes
Packaging — Tape & Reel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר