IRS2011STRPBF vs IRS2302STRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2011STRPBF بواسطة Infineon و IRS2302STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRS2011STRPBF | IRS2302STRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Half-Bridge Gate Driver | — |
| Configuration | High-Side and Low-Side, Independent Channels | — |
| عدد المخارج | 2 | — |
| Maximum Offset Voltage (High-Side) | 200 V | — |
| Output Current (Source / Sink) | 1 A typical / 1 A typical | — |
| Propagation Delay (ton/toff) | 60 ns typical | — |
| Delay Matching | 20 ns maximum | — |
| Logic Input Compatibility | 3.3 V CMOS / LSTTL | 3.3 V, 5 V, 15 V |
| Bootstrap Supply | Integrated bootstrap diode, floating channel | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | 5 V to 20 V |
| Negative Transient Tolerance | Yes, dV/dt immune | — |
| العلبة | 8-SOIC (DSO-8) | 8-SOIC (3.90 mm body) |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40C to +125C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant (PBF suffix) | Compliant |
| Suitable Drivers | MOSFETs and IGBTs | — |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge (High and Low Side, Independent) |
| Number of Drivers | — | 2 |
| Offset Voltage (High-Side) | — | Up to +600 V |
| Source Current (typ.) | — | 0.2 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.35 A |
| زمن الصعود | — | 130 ns (typ.) |
| زمن السقوط | — | 50 ns (typ.) |
| Propagation Delay | — | 220 ns (typ.) |
| Turn-On Delay | — | [DATA_NEEDED: exact turn-on delay] |
| Turn-Off Delay | — | [DATA_NEEDED: exact turn-off delay] |
| Input Type | — | Non-Inverting |
| Shutdown Pin | — | Yes |
| UVLO | — | Yes (VCC and VBS) |
| Cross-Conduction Protection | — | Yes (built-in dead time) |
| مستوى MSL | — | 2 (per JEDEC J-STD-020) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |