IRS2011STRPBF vs IRS2302STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2011STRPBF توسط Infineon و IRS2302STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2011STRPBF IRS2302STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels —
تعداد خروجی‌ها 2 —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 5 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
بسته‌بندی 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (3.90 mm body)
دمای کاری -40 C to +125 C -40C to +125C
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Driver Configuration — Half-Bridge (High and Low Side, Independent)
Number of Drivers — 2
Offset Voltage (High-Side) — Up to +600 V
Source Current (typ.) — 0.2 A
Sink Current (typ.) — 0.35 A
زمان صعود — 130 ns (typ.)
زمان افت — 50 ns (typ.)
Propagation Delay — 220 ns (typ.)
Turn-On Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-on delay]
Turn-Off Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-off delay]
Input Type — Non-Inverting
Shutdown Pin — Yes
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Cross-Conduction Protection — Yes (built-in dead time)
سطح MSL — 2 (per JEDEC J-STD-020)
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت