IRS2110STRPBF vs IR2110SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2110STRPBF بواسطة Infineon و IR2110SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2110STRPBF IR2110SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
عدد المخارج 2 —
نوع الخرج Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) 3.3 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 3 (168 hours) —
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)
الوظيفة — Half-bridge gate driver
البنية الطوبولوجية — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر