IRS2153DSTRPBF vs IR21531STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2153DSTRPBF بواسطة Infineon و IR21531STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2153DSTRPBF IR21531STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
العلبة 8-pin SOIC 8-pin SOIC (SO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
حالة RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
عدد المخارج — 2 (high-side, low-side)
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
زمن الصعود — 80 ns
زمن السقوط — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر