IRS2153DSTRPBF vs IR21531STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2153DSTRPBF מאת Infineon ו IR21531STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2153DSTRPBF IR21531STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
טופולוגיה Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
מארז 8-pin SOIC 8-pin SOIC (SO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
מספר יציאות — 2 (high-side, low-side)
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
זמן עלייה — 80 ns
זמן ירידה — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר