IRS2184SPBF vs 2ED2183S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2184SPBF بواسطة Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2184SPBF 2ED2183S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and Low-side referenced outputs, dependent channels High Side, Low Side, Non-Inverting
عدد المخارج 2 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Output Polarity Non-Inverting —
Offset Voltage (High-Side) 600 V maximum —
Peak Source Current 1.9 A typical —
Peak Sink Current 2.3 A typical —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (UVLO protected) 10 V to 20 V (typ.)
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay matched both channels] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 2
حالة RoHS Compliant (PbF suffix indicates lead-free) Compliant
Technology Proprietary HVIC and latch-immune CMOS SOI (Silicon-On-Insulator)
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر