IRS2184SPBF vs 2ED2183S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2184SPBF מאת Infineon ו 2ED2183S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2184SPBF 2ED2183S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and Low-side referenced outputs, dependent channels High Side, Low Side, Non-Inverting
מספר יציאות 2 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Output Polarity Non-Inverting —
Offset Voltage (High-Side) 600 V maximum —
Peak Source Current 1.9 A typical —
Peak Sink Current 2.3 A typical —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (UVLO protected) 10 V to 20 V (typ.)
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay matched both channels] —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 2
סטטוס RoHS Compliant (PbF suffix indicates lead-free) Compliant
Technology Proprietary HVIC and latch-immune CMOS SOI (Silicon-On-Insulator)
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
זמן עלייה — 15 ns
זמן ירידה — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר