IRS2184SPBF vs 2ED2183S06FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2184SPBF توسط Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2184SPBF 2ED2183S06FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and Low-side referenced outputs, dependent channels High Side, Low Side, Non-Inverting
تعداد خروجی‌ها 2 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Output Polarity Non-Inverting —
Offset Voltage (High-Side) 600 V maximum —
Peak Source Current 1.9 A typical —
Peak Sink Current 2.3 A typical —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (UVLO protected) 10 V to 20 V (typ.)
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay matched both channels] —
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی 8-SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 2
وضعیت RoHS Compliant (PbF suffix indicates lead-free) Compliant
Technology Proprietary HVIC and latch-immune CMOS SOI (Silicon-On-Insulator)
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمان صعود — 15 ns
زمان افت — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
دمای کاری — -40 C to +125 C
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت