ISA250300C04LMDSXTMA1 vs IRF7341GTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISA250300C04LMDSXTMA1 بواسطة Infineon و IRF7341GTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISA250300C04LMDSXTMA1 | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-channel + P-channel (N+P array) | Dual N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 55 V |
| Continuous Drain Current N-channel | 5.9 A (Ta), 7.9 A (Tc) | — |
| Continuous Drain Current P-channel | 5.8 A (Ta), 7.8 A (Tc) | — |
| Power Dissipation | 1.4 W (Ta), 2.5 W (Tc) | — |
| العلبة | SO-8 (PG-DSO-8-920) | 8-SO (SOIC-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel (suffix XTMA1) | — |
| Datasheet Document | Infineon ISA250300C04LMDS datasheet (per Infineon product page) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range per channel] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) per channel at specified VGS] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 5.1 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |