ISA250300C04LMDSXTMA1 vs IRF7341GTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISA250300C04LMDSXTMA1 tarafından Infineon ve IRF7341GTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

ISA250300C04LMDSXTMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISA250300C04LMDSXTMA1 IRF7341GTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-channel + P-channel (N+P array) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 55 V
Continuous Drain Current N-channel 5.9 A (Ta), 7.9 A (Tc) —
Continuous Drain Current P-channel 5.8 A (Ta), 7.8 A (Tc) —
Power Dissipation 1.4 W (Ta), 2.5 W (Tc) —
Paket SO-8 (PG-DSO-8-920) 8-SO (SOIC-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) IR HEXFET Planar MOSFET
Packaging Tape & Reel (suffix XTMA1) —
Datasheet Document Infineon ISA250300C04LMDS datasheet (per Infineon product page) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range per channel] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) per channel at specified VGS] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin