ISA250300C04LMDSXTMA1 vs IRF7341GTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISA250300C04LMDSXTMA1 द्वारा Infineon और IRF7341GTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISA250300C04LMDSXTMA1 | IRF7341GTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-channel + P-channel (N+P array) | Dual N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 55 V |
| Continuous Drain Current N-channel | 5.9 A (Ta), 7.9 A (Tc) | — |
| Continuous Drain Current P-channel | 5.8 A (Ta), 7.8 A (Tc) | — |
| Power Dissipation | 1.4 W (Ta), 2.5 W (Tc) | — |
| पैकेज | SO-8 (PG-DSO-8-920) | 8-SO (SOIC-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | IR HEXFET Planar MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel (suffix XTMA1) | — |
| Datasheet Document | Infineon ISA250300C04LMDS datasheet (per Infineon product page) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range per channel] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) per channel at specified VGS] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 5.1 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 50 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | — | 2.4 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss typical] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |