ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N06NM5ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC41N06S5N102ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | ISC015N06NM5ATMA1 | IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | -55C to +175C (junction) |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 47 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 42 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.4 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 12.5 nC |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) |
| Channel Polarity | — | N-Channel (single) |