ISC015N06NM5ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC015N06NM5ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC41N06S5N102ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC015N06NM5ATMA1 | IAUC41N06S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | 259 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Total Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Total Power Dissipation (TC) | 188 W | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down | PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55C to +175C (junction) |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | 1 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 47 A (Tj) |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 42 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.4 V (typical) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 12.5 nC |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family) |
| Channel Polarity | — | N-Channel (single) |