ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N06NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon و IQE220N15NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | 7 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | 340 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | 14.4 nC at 10 V |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| تكوين الخرج | — | Single N-Channel |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| مستوى MSL | — | 1 |