ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci ISC015N06NM5LF2ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IQE220N15NM5ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr ISC015N06NM5LF2ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W 100 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V 4.6 V (typ at 46 µA)
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF 14 pF
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF 340 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC 14.4 nC at 10 V
Suhu Hubungan Operasi -55 °C to +175 °C —
Kemasan PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Konfigurasi Output — Single N-Channel
Suhu Operasi — -55C to +150C (junction)
Status RoHS — Compliant
Aras MSL — 1

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga