ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N06NM5LF2ATMA1 tarafından Infineon ve IQE220N15NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC015N06NM5LF2ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W 100 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V 4.6 V (typ at 46 µA)
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF 14 pF
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF 340 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC 14.4 nC at 10 V
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Çıkış Konfigürasyonu — Single N-Channel
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin