ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC015N06NM5LF2ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE220N15NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | 7 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | 100 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | 340 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | 14.4 nC at 10 V |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| آؤٹ پٹ کنفیگریشن | — | Single N-Channel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | 1 |