ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC078N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC078N12NM6ATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 30V |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 7.8 mΩ | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| العلبة | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | — |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |