ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC078N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC028N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC078N12NM6ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5 30V
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.2 A —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 7.8 mΩ —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Paket SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (junction) —
Pin Sayısı 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin