ISC080N10NM6ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IPD33CN10NGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC080N10NM6ATMA1 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | -55C to +175C (TJ) |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| Technology | — | OptiMOS (Trench) |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |