ISC080N10NM6ATMA1 vs IPD33CN10NGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC080N10NM6ATMA1 bằng Infineon và IPD33CN10NGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252
IPD33CN10NGATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC080N10NM6ATMA1 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Hộp | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | -55C to +175C (TJ) |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 27 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| Technology | — | OptiMOS (Trench) |
| Số chân | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |