ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC151N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7L018ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC151N08NM6ATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | N-Channel Trench MOSFET |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C |
| Qualification | — | Automotive (per Infineon part description) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |