ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC151N08NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L018ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC151N08NM6ATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | N-Channel Trench MOSFET |
| Paket | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Qualification | — | Automotive (per Infineon part description) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |