ISC151N08NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC151N08NM6ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN08S7L018ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC151N08NM6ATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| זרם ניקוז רציף (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | N-Channel Trench MOSFET |
| מארז | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Qualification | — | Automotive (per Infineon part description) |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |