ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC151N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IQD063N15NM5SCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 - 150V 5.1mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD063N15NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL | PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 14.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 5.1 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 6.32 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.8 V (max) |
| Total Gate Charge (QG) at VGS=10V | — | 48 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.6 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 900 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 21 pF |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 333 W |
| Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C | — | 3 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +175°C |