ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC151N08NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQD063N15NM5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC151N08NM6ATMA1 IQD063N15NM5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 150 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 —
Paket PG-TDSON-8 FL PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Channel Mode Enhancement —
İşletim Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 151 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 14.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 5.1 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 6.32 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 V (max)
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V — 48 nC
Input Capacitance (Ciss) — 3.6 nF
Output Capacitance (Coss) — 900 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C — 333 W
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C — 3 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin