ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD063N15NM5SCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC151N08NM6ATMA1 توسط Infineon و IQD063N15NM5SCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 - 150V 5.1mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQD063N15NM5SCATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD063N15NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL | PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| دمای کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 151 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 14.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 5.1 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 6.32 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.8 V (max) |
| Total Gate Charge (QG) at VGS=10V | — | 48 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.6 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 900 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 21 pF |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | — | 333 W |
| Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C | — | 3 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +175°C |