ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC300N20NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N04NM7VATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC300N20NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 200V | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 44 A | 256 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 136 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 27 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 | PG-TDSON-8 (source-down) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 | Trench MOSFET, silicon |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| مستوى MSL | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |