ISC300N20NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC300N20NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N04NM7VATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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ISC300N20NM6ATMA1 - 200V 44A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC300N20NM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC300N20NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 200V | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 44 A | 256 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 136 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 27 mΩ (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8 | PG-TDSON-8 (source-down) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 | Trench MOSFET, silicon |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL स्तर | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |