ISZ019N03L5SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ019N03L5SATMA1 بواسطة Infineon و ISZ028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ019N03L5SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2.35 V
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg]
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
العلبة PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (TJ max) -55C to +175C (junction, typical)
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
حالة RoHS — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر