ISZ019N03L5SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ019N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ019N03L5SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2.35 V
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg]
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (TJ max) -55C to +175C (junction, typical)
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں