ISZ019N03L5SATMA1 vs ISZ028N03LF2SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ019N03L5SATMA1 توسط Infineon و ISZ028N03LF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر ISZ019N03L5SATMA1 ISZ028N03LF2SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 (<= 40V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 22 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
RDS(on) at VGS=10V 1.9 mΩ (typical, ID=20A) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2.35 V
Gate-Source Voltage Rating (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC at VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg]
Input Capacitance (Ciss) 2800 pF at VDS=15V —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 FL (FL = flat lead)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C (TJ max) -55C to +175C (junction, typical)
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS / REACH Compliant —
Avalanche Rated Yes —
RG-tested 100% —
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET 2 (Trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 128 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) max — 2.8 mΩ
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (logic level at 4.5 V)
وضعیت RoHS — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت